硅导带结构为（）。
A.位于第一布里渊区内沿<100>方向的6个球形等能面
B.一半位于第一布里渊区内沿<111>方向的6个球形等能面
C.一半位于第一布里渊区内沿<111>方向的8个椭球等能面
D.位于第一布里渊区内沿<100>方
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与半导体相比较，绝缘体的价带电子激发到导带所需的能量（）。
A.比半导体的大
B.比半导体的小
C.与半导体的相等
D.不确定
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一般半导体它的价带顶位于()，而导带底位于()。
A.波矢k=0或附近，波矢k≠0
B.波矢k≠0，波矢k=0或附近
C.波矢k=0，波矢k≠0
D.波矢k=0或附近，波矢k≠0或k=0
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如果杂质既有施主的作用又有受主的作用，则这种杂质称为（）。
A.施主
B.复合中心
C.陷阱
D.两性杂质
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杂质对于半导体导电性能有很大影响，下面哪两种杂质分别掺杂在硅中能显著地提高硅的导电性能（）。
A.硼或铁
B.铁或铜
C.硼或磷
D.金或银
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当施主能级ED与费米能级EF相等时，电离施主的浓度为施主浓度的（）倍。
A.1
B.1/2
C.1/3
D.1/4
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同一种施主杂质掺入甲、乙两种半导体，如果甲的相对介电常数εr是乙的3/4，mn*/m0值是乙的2倍，那么用类氢模型计算结果是（）。
A.甲的施主杂质电离能是乙的8/3，弱束缚电子基态轨道半径为乙的3/4
B.甲的施主杂质电离能是乙的3/
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重空穴是指（）
A.质量较大的原子组成的半导体中的空穴
B.价带顶附近曲率较大的等能面上的空穴
C.价带顶附近曲率较小的等能面上的空穴
D.自旋－轨道耦合分裂出来的能带上的空穴
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下面情况下的材料中，室温时功函数最大的是（）。
A.含硼1×1015cm-3的硅
B.含磷1×1016cm-3的硅
C.含硼1×1015cm-3，磷1×1016cm-3的硅
D.纯净的硅
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一般可以认为，在温度不很高时，能量大于费米能级的量子态基本上（），而能量小于费米能级的量子态基本上为（），而电子占据费米能级的概率在各种温度下总是（），所以费米能级的位置比较直观地标志了电子占据量子态的情况，通常就说费米能级标志了电子填充能
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在P型半导体中（）
A.电子是多数载流子，空穴是少数载流子
B.空穴的数量略多于电子
C.空穴是多数载流子，电子是少数载流子
D.没有电子
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10当PN结外加反向电压时，扩散电流与漂移电流的关系及耗尽层宽度的变化为（）。
A.扩散电流大于漂移电流、耗尽层变宽
B.扩散电流小于漂移电流、耗尽层变宽
C.扩散电流大于漂移电流、耗尽层变窄
D.扩散电流小于漂移电流、耗尽层变窄
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PN结击穿主要有下列哪三种物理机制（）
A.雪崩击穿、隧道击穿、热电击穿
B.高压击穿、跃迁击穿、热电击穿
C.雪崩击穿、隧道击穿、自发击穿
D.隧道击穿、自发击穿、跃迁击穿
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在n型半导体中（）
A.空穴是多数载流子，电子是少数载流子
B.空穴的数量略多于电子
C.电子是多数载流子，空穴是少数载流子
D.没有电子
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半导体中少数载流子寿命的大小主要决定于()
A.复合机构
B.散射机构
C.禁带宽度
D.晶体结构
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最有效的复合中心能级位置在（）附近。
A.EA
B.少子
C.多子
D.Ei
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电子在晶体中的共有化运动时指（）
A.电子在晶体中各处出现的几率相同
B.电子在晶体原胞中个点出现的几率相同
C.电子在晶体各原胞对应点出现的几率相同
D.电子在晶体各原胞对应点有相同位相
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最有利陷阱作用的能级位置在（）附近
A.EA
B.少子
C.EF
D.Ei
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Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体中的M空位Vm是（）
A.点阵中的金属原子空位
B.点阵中的原子间隙
C.一种在禁带中引入施主能级的点缺陷
D.一种在禁带中引入受主能级的位错
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自补偿效应的起因是（）
A.材料中先已预存在某种深能级杂质
B.材料中先已预存在某种深能级缺陷
C.掺入的杂质是双性杂质
D.掺杂导致某种缺陷产生
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载流子在电场作用下的运动为（）。
A.漂移运动
B.扩散运动
C.热运动
D.共有化运动
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杂质半导体中的载流子输运过程的散射机构中，当温度升高时，电离杂质散射的概率和晶格振动声子的散射概率的变化分别是（）。
A.变大，变小
B.变小，变大
C.变小，变小
D.变大，变大
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4砷有效的陷阱中心位置（）
A.靠近禁带中央
B.靠近费米能级
C.远离费米能级
D.远离禁带中央
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23金属和半导体接触分为：（）。
A.整流的肖特基接触和整流的欧姆接触
B.整流的肖特基接触和非整流的欧姆接触
C.非整流的肖特基接触和整流的欧姆接触
D.非整流的肖特基接触和非整流的欧姆接触
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一块半导体材料，光照在材料中会产生非平衡载流子，若光照忽然停止t后，其中非平衡载流子将衰减为原来的（）。
A.1/e
B.1/2
C.0
D.2/e
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21锗的晶格结构和能带结构分别是（）。
A.金刚石型和直接禁带型
B.闪锌矿型和直接禁带型
C.金刚石型和间接禁带型
D.闪锌矿型和间接禁带型
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20导带底的电子是()。
A.带正电的有效质量为正的粒子
B.带正电的有效质量为负的准粒子
C.带负电的有效质量为正的粒子
D.带负电的有效质量为负的准粒子
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19与绝缘体相比，半导体的价带电子激发到导带所需要的能量（）。
A.比绝缘体的大
B.比绝缘体的小
C.和绝缘体的相同
D.和绝缘体的不同
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对于一定的N型半导体材料，在温度一定时，减小掺杂浓度，费米能级会（）。
A.上移
B.下移
C.不变
D.左移
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在热平衡状态时，P型半导体中的电子浓度和空穴浓度的乘积为常数，它和（）有关。
A.杂质浓度和温度
B.温度和禁带宽度
C.杂质浓度和禁带宽度
D.杂质类型和温度
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16空穴是()。
A.带正电的质量为正的粒子
B.带正电的质量为正的准粒子
C.带正电的质量为负的准粒子
D.带负电的质量为负的准粒子
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砷化稼的能带结构是（）能隙结构。
A.直接
B.间接
C.转换
D.转变
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MIS结构发生多子积累时，表面的导电类型与体材料的类型（）。
A.相同
B.不同
C.无关
D.不确定
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13将Si掺杂入GaAs中，若Si取代As则起（）杂质作用。
A.施主
B.受主
C.陷阱
D.复合中心
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对掺杂的硅等原子半导体，主要散射机构是：（）。
A.声学波散射和光学波散射
B.声学波散射和电离杂质散射
C.光学波散射和电离杂质散射
D.光学波散射
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本征半导体是指（）的半导体。
A.不含杂质和缺陷
B.电阻率最高
C.电子密度和空穴密度相等
D.电子密度与本征载流子密度相等
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如果一半导体的导带中发现电子的几率为零，那么该半导体必定（）。
A.不含施主杂质
B.不含受主杂质
C.不含任何杂质
D.处于绝对零度
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有效复合中心的能级必靠近()。
A.禁带中部
B.导带
C.价带
D.费米能级
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8对于只含一种杂质的非简并n型半导体，费米能级EF随温度上升而（）。
A.单调上升
B.单调下降
C.经过一个极小值趋近Ei
D.经过一个极大值趋近Ei
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当一种n型半导体的少子寿命由直接辐射复合决定时，其小注入下的少子寿命正比于（）。
A.1/n0
B.1/△n
C.1/p0
D.1/△p
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在Si材料中掺入P，则引入的杂质能级（）
A.在禁带中线处
B.靠近导带底
C.靠近价带顶
D.以上都不是
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公式*q/m中的τ是半导体载流子的（）。
A.迁移时间
B.寿命
C.平均自由时间
D.扩散时间
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对于一定的n型半导体材料，温度一定时，减少掺杂浓度，将导致（）靠近Ei。
A.Ec
B.Ev
C.Eg
D.Ef
答案是：参考答案：D 您的答案：D
在晶体硅中掺入元素（）杂质后，能形成N型半导体。
A.锗
B.磷
C.硼
D.锡
答案是：参考答案：B 您的答案：B
对大注入条件下，在一定的温度下，非平衡载流子的寿命与（）。
A.平衡载流子浓度成正比
B.非平衡载流子浓度成正比
C.平衡载流子浓度成反比
D.非平衡载流子浓度成反比
答案是：参考答案：D
将Si掺杂入GaAs中，若Si取代Ga则起（）杂质作用。
A.施主
B.受主
C.陷阱
D.复合中心
答案是：参考答案：A
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