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第1题

公式*q/m中的τ是半导体载流子的（）。 A.迁移时间 B.寿命 C.平均自由时间 D.扩散时间
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第2题

对于一定的n型半导体材料，温度一定时，减少掺杂浓度，将导致（）靠近Ei。 A.Ec B.Ev C.Eg D.Ef
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第3题

在晶体硅中掺入元素（）杂质后，能形成N型半导体。 A.锗 B.磷 C.硼 D.锡
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第4题

对大注入条件下，在一定的温度下，非平衡载流子的寿命与（）。 A.平衡载流子浓度成正比 B.非平衡载流子浓度成正比 C.平衡载流子浓度成反比 D.非平衡载流子浓度成反比
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