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第1题

对于一定的n型半导体材料，温度一定时，减少掺杂浓度，将导致（）靠近Ei。 A.Ec B.Ev C.Eg D.Ef
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第2题

在晶体硅中掺入元素（）杂质后，能形成N型半导体。 A.锗 B.磷 C.硼 D.锡
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第3题

对大注入条件下，在一定的温度下，非平衡载流子的寿命与（）。 A.平衡载流子浓度成正比 B.非平衡载流子浓度成正比 C.平衡载流子浓度成反比 D.非平衡载流子浓度成反比
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第4题

将Si掺杂入GaAs中，若Si取代Ga则起（）杂质作用。 A.施主 B.受主 C.陷阱 D.复合中心
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