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第1题

MIS结构发生多子积累时，表面的导电类型与体材料的类型（）。 A.相同 B.不同 C.无关 D.不确定
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第2题

13将Si掺杂入GaAs中，若Si取代As则起（）杂质作用。 A.施主 B.受主 C.陷阱 D.复合中心
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第3题

对掺杂的硅等原子半导体，主要散射机构是：（）。 A.声学波散射和光学波散射 B.声学波散射和电离杂质散射 C.光学波散射和电离杂质散射 D.光学波散射
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第4题

本征半导体是指（）的半导体。 A.不含杂质和缺陷 B.电阻率最高 C.电子密度和空穴密度相等 D.电子密度与本征载流子密度相等
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