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第1题

在热平衡状态时，P型半导体中的电子浓度和空穴浓度的乘积为常数，它和（）有关。 A.杂质浓度和温度 B.温度和禁带宽度 C.杂质浓度和禁带宽度 D.杂质类型和温度
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第2题

16空穴是()。 A.带正电的质量为正的粒子 B.带正电的质量为正的准粒子 C.带正电的质量为负的准粒子 D.带负电的质量为负的准粒子
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第3题

砷化稼的能带结构是（）能隙结构。 A.直接 B.间接 C.转换 D.转变
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第4题

MIS结构发生多子积累时，表面的导电类型与体材料的类型（）。 A.相同 B.不同 C.无关 D.不确定
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