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第1题

有效复合中心的能级必靠近()。 A.禁带中部 B.导带 C.价带 D.费米能级
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第2题

8对于只含一种杂质的非简并n型半导体，费米能级EF随温度上升而（）。 A.单调上升 B.单调下降 C.经过一个极小值趋近Ei D.经过一个极大值趋近Ei
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第3题

当一种n型半导体的少子寿命由直接辐射复合决定时，其小注入下的少子寿命正比于（）。 A.1/n0 B.1/△n C.1/p0 D.1/△p
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第4题

在Si材料中掺入P，则引入的杂质能级（） A.在禁带中线处 B.靠近导带底 C.靠近价带顶 D.以上都不是
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