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第1题

在光电转换过程中，硅材料一般不如GaAs量子效率高，其因是（） A.禁带较窄 B.禁带是间接型跃迁 C.禁带较宽 D.禁带较宽
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第2题

欲在掺杂适度的无表面态n型硅上做欧姆电极，以下四种金属中最合适的是（） A.In（Wm=3.8eV） B.Cr（Wm=4.6eV） C.Au（Wm=4.8eV） D.Al（Wm=4.2eV）
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第3题

硅中掺金的工艺主要用于制造（）器件 A.高可靠性 B.高反压 C.高频 D.大功率
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第4题

半导体中的载流子扩散系数的大小取决于（） A.复合机构 B.散射机构 C.能带结构 D.能带结构
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