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第1题

欲在掺杂适度的无表面态n型硅上做欧姆电极，以下四种金属中最合适的是（） A.In（Wm=3.8eV） B.Cr（Wm=4.6eV） C.Au（Wm=4.8eV） D.Al（Wm=4.2eV）
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第2题

硅中掺金的工艺主要用于制造（）器件 A.高可靠性 B.高反压 C.高频 D.大功率
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第3题

半导体中的载流子扩散系数的大小取决于（） A.复合机构 B.散射机构 C.能带结构 D.能带结构
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第4题

1若某半导体导带中发现电子的几率为零，则该半导体必定（） A.不含施主杂质 B.不含受主杂质 C.不含任何杂质 D.处于绝对零度
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