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第1题

对于只含一种杂质的非简并n型半导体，费米能级EF随温度上升而（） A.单调上升 B.单调下降 C.经过一极小值趋近Ei D.经过一极大值趋近Ei
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第2题

利用热中子轰击236 U发生裂变，其裂变裂片的质量数为下列哪一组几率最大？ A.118，118； B.72, 162； C.96, 140； D.118, 72
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第3题

根据费米分布函数，电子占据（EF+KT）能级的几率（） A.等于空穴占据（EF+KT）能级的几率 B.等于空穴占据（EF-KT）能级的几率 C.大于电子占据EF的几率 D.大于空穴占据EF的几率
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第4题

对于Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体，随着平均原子序数的增加（） A.禁带宽度增大 B.禁带宽度减小 C.最低的导带极小值从布里渊区中心移向边界 D.最低的导带极小值在布里渊区中心不变
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