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第1题

Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体中的M空位Vm是（） A.点阵中的金属原子空位 B.点阵中的原子间隙 C.一种在禁带中引入施主能级的点缺陷 D.一种在禁带中引入受主能级的位错
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第2题

自补偿效应的起因是（） A.材料中先已预存在某种深能级杂质 B.材料中先已预存在某种深能级缺陷 C.掺入的杂质是双性杂质 D.掺杂导致某种缺陷产生
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第3题

载流子在电场作用下的运动为（）。 A.漂移运动 B.扩散运动 C.热运动 D.共有化运动
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第4题

一个物体受到同一直线上两个力F1和 F2的作用，它们的合力为F，则( )。 A.如果F1≠ F2，那么F的方向总是跟较大的那个力 B.如果F1= F2，那么F=0 C、 C.如果F1> F2，那么F= F1- F2 D D.总大于F
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