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第1题

采用对称双地址结构寻址的1024×1的存储矩阵有( )。
· 10行10列
· 5行5列
· 32行32列
· 1024行1024列
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第2题

若使三极管具有电流放大能力.必须满足的外部条件是( ) 。
·发射结正偏、集电结正偏;
·发射结反偏、集电结反偏;
·发射结正偏、集电结反偏;
·发射结反偏、集电结正偏。
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第3题

测得NPN型三极管上各电极对地电位分别为VE=2.1V.VB=2.8V.VC=4.4V.说明此三极管处在( )。
·放大区;
·饱和区;
·截止区;
·反向击穿区。
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第4题

单极型半导体器件是( )。
·二极管;
·双极型三极管;
·场效应管;
·稳压管。
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