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第1题

SRAM和DRAM存储原理不同，它们分别靠（　　　）来存储0和1的（2分） A双稳态触发器的两个稳态和极间是否有足够的电荷 B内部熔丝是否断开和双稳态触发器 C极间电荷和浮置栅是否积累足够的电荷 D极间是否有足够的电荷和双稳态触发器
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第2题

在8086/8088CPU中，为了减少CPU等待取指所需的时间，设置了（2分） A 时钟周期 B 等待状态 C 指令队列 D 中断向量
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第3题

掩膜ROM在制造时通过光刻是否连接MOS管来确定0和1，如果对应的某存储单元位没有连接MOS管，则该位信息为（　　　）（2分） A不确定 B0 C1 D可能为0，也可能为1
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第4题

采用2的补码形式时，一个字节能表达的带符号整数范围为（2分） A [–128，+128] B [–127 , +127]  C [–127 ,Q
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